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Número de Parte: HY4008W
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 397 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 80 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 25 V
Corriente continua de drenaje (Id): 200 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 195 nC
Tiempo de elevación (tr): 18 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1029 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0035 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO247
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