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Descripción Detallada Eléctrica
Características:
Modelo: IRFP250N
Tipo de Transistor: MOSFET de Potencia de Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente (Vds): 200V
Corriente de Drenaje (Id): 30A
Voltaje de Puerta-Umbral (Vgs(th)): 2V - 4V
Resistencia de Encendido (Rds(on)): 0.075 ohmios
Capacidad de Carga de la Puerta (Qg): 230nC
Disipación de Potencia (Pd): 200W
Temperatura de Operación: -55°C a 175°C
Encapsulado: TO-247
Descripción:
El IRFP250N es un transistor MOSFET de potencia de canal N, diseñado para manejar altas corrientes y voltajes, ideal para aplicaciones de conmutación y amplificación de potencia. Este MOSFET es conocido por su baja resistencia de encendido, alta capacidad de manejo de corriente y rápida velocidad de conmutación, lo que lo hace adecuado para diversas aplicaciones electrónicas de alta potencia.
Aplicaciones Típicas:
Fuentes de Alimentación Conmutadas: Utilizado en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) debido a su alta eficiencia y capacidad de manejo de potencia.
Control de Motores: Adecuado para aplicaciones de control de motores en sistemas de automatización y robótica.
Amplificadores de Potencia: Utilizado en amplificadores de audio de alta potencia y otros sistemas de amplificación.
Inversores y Convertidores: Ideal para inversores de energía y convertidores DC-DC.
Protección de Sobrecorriente: Aplicado en circuitos de protección para evitar daños por sobrecorriente.
Ventajas:
Baja Resistencia de Encendido: Minimiza las pérdidas de conducción, aumentando la eficiencia del circuito.
Alta Capacidad de Manejo de Corriente: Capaz de manejar hasta 30A, adecuado para aplicaciones de alta corriente.
Rápida Velocidad de Conmutación: Reduce las pérdidas de conmutación, mejorando la eficiencia energética.
Alta Disipación de Potencia: Puede disipar hasta 200W, proporcionando una mayor fiabilidad en aplicaciones de alta potencia.
Conexiones:
Drenaje (Drain): Conectar al voltaje de carga
Fuente (Source): Conectar a tierra
Puerta (Gate): Conectar al controlador de señal
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