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Especificaciones del IRFP264N:
Tipo: MOSFET de potencia, N-Channel
Voltaje de drenaje-fuente (VDS): 250V
Corriente de drenaje (ID): 47A (a 25°C)
Resistencia de encendido (RDS(on)): 0.075 ohmios (típico, a VGS = 10V)
Voltaje de compuerta (VGS): ±20V (máximo)
Disipación de potencia (PD): 300W (máximo)
Capacidad de carga de compuerta (Ciss): 7300 pF
Encapsulado: TO-247
Temperatura de operación: -55°C a +175°C
Tiempo de conmutación:
Tiempo de encendido (ton): 38 ns (típico)
Tiempo de apagado (toff): 83 ns (típico)
Configuración de pines:
Drenaje (Drain): Pin central y parte metálica del encapsulado
Fuente (Source): Pin derecho
Compuerta (Gate): Pin izquierdo
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