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Fabricante: onsemi
Categoría de producto: MOSFET
Estilo de montaje: Through Hole
Paquete / Cubierta: TO-220-3
Polaridad del transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:150 V
Id - Corriente de drenaje continua: 130 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 7.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
Qg - Carga de puerta: 77 nC
Temperatura de trabajo mínima: - 55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 175 C
Dp - Disipación de potencia : 333 W
Modo canal: Enhancement
Serie: FDP075N15A
Empaquetado: Tube
Marca: onsemi / Fairchild
Configuración: Single
Tiempo de caída: 21 ns
Altura: 16.3 mm
Longitud: 10.67 mm
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de subida: 37 ns
Subcategoría: MOSFETs
Tiempo de retardo de apagado típico: 62 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 28 ns
Ancho: 4.7 mm
Alias de las piezas n.º: FDP075N15A_F102
Peso de la unidad: 2 g
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