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Semiconductor transistor Mosfet
*Paquete con 30 piezas*
Marca: Onsemi
Fabricante: NVTFWS014P04M8LTAG
Tamaño: 3.3mm x 3.3mm
Estilo de montaje: SMD/SMT
Cubierta: WDFN-8
Polaridad: Canal-P
Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 40V
Corriente de drenaje continua: 49A
Resistencia entre drenaje y fuente: 13.8 mOhms
Tensión entre puerta y fuente: -20V, +20v
Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4V
Temperatura de trabajo mínima: -55 grados C
Temperatura de trabajo máxima: +175 grados C
Configuración individual
Tipo de producto: MOSFET
Características:
RDS bajo (encendido) para minimizar las pérdidas de conducción
Baja capacitancia para minimizar las pérdidas del conductor
Producto de flancos humectables
Calificación AEC-Q101 y capacidad PPAP
No contienen Pb, halógenos ni BFR y cumplen con RoHS obediente