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ESPECIFICACIÓN:
El 2N7000 es un transistor de efecto de campo de modo mejorado con canal N, fabricado con la tecnología DMOS propia de alta densidad de celdas de Fairchild. Este proceso de muy alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en estado de conducción al tiempo que se proporciona un rendimiento duradero, fiable y de conmutación rápida.
Se puede utilizar en la mayoría de aplicaciones que requieren hasta 400mA DC y puede proporcionar una corriente pulsada de hasta 2A. También es apto para aplicaciones de baja tensión y baja corriente como control de servomotores pequeños, controladores de puerta MOSFET de potencia y otras aplicaciones de conmutación.
CARACTERÍSTICAS:
* Polaridad de Transistor: Canal N
* Corriente de Drenaje Continua Id: 200mA
* Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
* Resistencia en Estado Conductor Rds(on): 1.2ohm
* Tensión Vgs de Prueba Rds(on): 10V
* Tensión Umbral Vgs: 2.1V
* Disipación de Potencia Pd: 400mW
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