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El K50EH5 es un componente electrónico, específicamente un IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada) coempaquetado con un diodo antiparalelo. A continuación, se proporciona información relevante sobre el K50EH5:
Características Principales:
Es un IGBT de alta velocidad con una tensión de ruptura de 650V y una corriente de hasta 50A.
Incorpora un diodo antiparalelo para facilitar el flujo de corriente en ambas direcciones.
Estructura y Empaquetado:
Se presenta en un encapsulado TO-247-3PF.
La estructura TRENCHSTOPTM destaca por su capacidad de conmutación rápida.
Fabricante:
Producido por Infineon Technologies, un destacado fabricante de componentes semiconductores.
Usos Comunes:
Aplicaciones de conmutación de alta velocidad en electrónica de potencia.
Ampliamente utilizado en dispositivos que requieren una rápida conmutación y capacidad de manejo de potencia.
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