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El transistor GT30G124 Mosfet es utilizado para la circuitería de accionamiento de los paneles de visualización de plasma (PDP). Sin embargo, recientemente, los IGBT se usan comúnmente en aplicaciones de corriente grandes debido a su capacidad superior de conducción de corriente.
Tipo IGBT
Conmutación rápida
Bajo voltaje de saturación del colector-emisor incluso en la gran área de corriente
Diodo integrado con características óptimas adaptadas a aplicaciones específicas
Alta impedancia de entrada permite unidades de voltaje
Aplicaciones: Equipos electrónicos plasma
Polaridad de transistor: Canal N
Voltaje de drenaje a fuente VDS: 430 V
Corriente drenaje ID: 200 A
Disipación de potencia PD (TC=25°C): 25 W
Temperatura de operación mínima: -55 °C
Temperatura de operación máxima: 150 °C
Encapsulado: TO-220F
Número de pines: 3
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