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Td Tech sa de cv
Transistor Bipolar (BJT) NPN de alto voltaje
Dispositivo diseñado para operar como amplificador y suiche de propósito general
IC: 600 mA max.
PD: 625 mW max.
VCEO: 160 V, VCBO: 180 V, VEBO: 6 V, max.
hFE: 80 min. (@ IC=1 mA, VCE=5 V)
fT: 100 MHz mínimo
VCE(sat): 0.2 V max. (@ IC = 50 mA)
Encapsulado: TO-92
Complementarios: 2N5400, 2N5401
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