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Número de Parte: STP75NF75
Código: P75NF75
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 300 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 75 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 80 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de compuerta (Qg): 117 nC
Tiempo de elevación (tr): 100 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 730 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.011 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220
Esta serie Power MOSFET realizada con
Proceso STripFET ™ exclusivo de STMicroelectronics
ha sido diseñado específicamente para minimizar la entrada
capacitancia y carga de puerta. Por lo tanto es
Adecuado como interruptor principal en DC-DC aislado de alta frecuencia y alta eficiencia avanzada
convertidores para Telecom e Informática
aplicaciones. También está destinado a cualquier
aplicaciones con requisitos de accionamiento de puerta bajos
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