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La imagen es unicamnete de referencia, leer detalladamente sus referencias:
Estilo de montaje: Through Hole
Paquete / Cubierta: PDIP-4
Voltaje de aislamiento: 5000 Vrms
Tipo de salida: NPN Phototransistor
Relación de transferencia de corriente - mínima: 50 %
Relación de transferencia de corriente - máxima: 600 %
If - Corriente directa: 50 mA
Vf - Tensión directa: 1.4 V
Máximo voltaje colector-emisor: 80 V
Corriente máxima de colector: 50 mA
Máximo voltaje de saturación colector-emisor: 200 mV
Tiempo de subida: 18 us
Tiempo de caída: 18 us
Vr - Tensión inversa: 6 V
Dp - Disipación de potencia : 200 mW
Temperatura de trabajo mínima: - 55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 110 C
Factor de transferencia de corriente: 50 %
Altura: 3.5 mm
Longitud: 4.6 mm
Ancho: 6.5 mm
Peso de la unidad: 260 mg
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