Anuncios Clasificados
Transistor, Bipolar, Si, NPN, Driver, VCEO 100V, IC 1A, PD 900mW, R-245, VCBO 120V
Corriente de colector 1 A
Colector para basar voltaje 120 V
Colector al voltaje del emisor 100 V
Configuración Base común
Corriente de colector continua 1 A (máximo.)
Disipación del dispositivo 0.9 W
Dimensiones 3.0 x 5.0 x 8.73 milímetros
Emisor para basar voltaje 5 V
Altura 0.344 " (8.73m m)
Longitud 0.118 " (3m m)
Material Silicio
Tipo material Silicio
Temperatura de funcionamiento máximo +150 °C
Aumento actual de C.C. del mínimo 160
Temperatura de funcionamiento mínima -55 °C
Tipo del montaje A través del agujero
Número de elementos por viruta 1
Número de pernos 3
Frecuencia de funcionamiento 140 Megaciclo
Tipo del paquete R-245
Polaridad NPN
Disipación de la energía 900 mW
Tipo primario Silicio
Jefe del producto Transistor complementario del silicio
Series Serie del transistor
Rango de operación de la temperatura -55 +150 °C
Gama de temperaturas, ensambladura, funcionando 150°C (máximo.)
Polaridad del transistor NPN
Tipo del transistor NPN
Tipo Controlador
Voltaje, interrupción, colector al emisor 100 V
Voltaje, colector al emisor, saturación 1 V
Voltaje, saturación, colector al emisor 1.0 V (máximo)
Anchura 0.197 " (5m m)
Anuncios Clasificados