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irfz44n paquete 30 piezas
El MOSFET IRFZ44N es un transistor de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor).
Es un componente construido para manejar potencias altas.
Posee características que lo hacen ideal para aplicaciones de conmutación y modulación por ancho de pulso (PWM).
Polaridad de transistor: Canal N
•Voltaje de drenaje a fuente VDS: 55 V
•Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
•Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 55 V
•Corriente continua de drenaje ID: 49 A
•Corriente de drenaje pulsada IDP: 160 A
•Corriente de avalancha IAR: 25 A
•Disipación de potencia máxima PD: 94 W
•Temperatura de operación mínima: -55 °C
•Temperatura de operación máxima: 175 °C
•Encapsulado: TO-220
•Número de pines: 3
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