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Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
14 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
84mOhm a 14A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
3V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1900 pF @ 10 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
20W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-252
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