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Número de Parte: TK8A65D
Código: K8A65D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 45 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 650 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de compuerta (Qg): 25 nC
Tiempo de elevación (tr): 22 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 135 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.84 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220SIS
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