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Número de Parte: TK8A65D

Código: K8A65D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 45 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 650 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de compuerta (Qg): 25 nC

Tiempo de elevación (tr): 22 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 135 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.84 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220SIS

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