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Descripción
Este MOSFET de potencia está diseñados para aplicaciones tales
como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motores, Controladores de relé y controladores para conmutación bipolar de alta potencia.
Estos transistores que requieren alta velocidad y baja potencia de accionamiento de puerta (Gate), pueden ser operados directamente desde circuitos integrados.
Transistor IRFP260N IRFP260N Mosfet Potencia CH N 200 V 50 A
Información:
Categoría de producto: MOSFET
Tecnología: Si
Estilo de montaje: Through Hole
Paquete / Cubierta: TO-247-3
Polaridad del transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 200 V
Id - Corriente de drenaje continua: 50 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 40 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 20 V, + 20 V
Temperatura de trabajo mínima: - 55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 175 C
Dp - Disipación de potencia : 300 W
Modo canal: Enhancement
Configuración: Single
Altura: 20.7 mm
Longitud: 15.87 mm
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Ancho: 5.31 mm
Marca: Infineon / IR
Tiempo de caída: 48 ns
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de subida: 60 ns
Subcategoría: MOSFETs
Tiempo de retardo de apagado típico: 55 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 17 ns
Peso de la unidad: 38 g
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