Anuncios Clasificados
Número de Parte: IRF640N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 18 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Carga de compuerta (Qg): 44.7 nC
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.15 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220AB
100% nuevo
Anuncios Clasificados