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IRF3808
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 330 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 75 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 140 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Carga de compuerta (Qg): 150 nC
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.007 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220AB
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