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Número de Parte: IRF1010N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 130 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 55 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 10 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 72 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Carga de compuerta (Qg): 120 nC
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.012 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220AB
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