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Type Designator: GT60M303
Type of IGBT Channel: N-Channel
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|, V: 900
Collector-Emitter saturation Voltage |Vcesat|, V: 2.7
Maximum Gate-Emitter Voltage |Veg|, V: 15
Maximum Collector Current |Ic|, A: 60
Maximum Junction Temperature (Tj), °C: 150
Rise Time, nS: 400
Package: TO264
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-Componentes Activos
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-Transistor de efecto de campo.
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