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Número de Parte: FQP30N06L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 79 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 60 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 32 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de compuerta (Qg): 15 nC
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.035 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220