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Fabricante: Infineon
Categoría de producto: Módulos IGBT
RoHS: Detalles
Producto: IGBT Silicon Modules
Configuración: Dual
Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 1.2 kV
Voltaje de saturación colector-emisor: 1.7 V
Colector de Corriente Continua a 25 C: 480 A
Corriente de fuga puerta-emisor: 400 nA
Dp - Disipación de potencia : 1.45 kW
Paquete / Cubierta: 62 mm
Temperatura de trabajo mínima: - 40 C
Temperatura de trabajo máxima: + 125 C
Empaquetado: Tray
Marca: Infineon Technologies
Altura: 30.9 mm
Longitud: 106.4 mm
Máximo voltaje puerta-emisor: 20 V
Estilo de montaje: Chassis Mount
Tipo de producto: IGBT Modules
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