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FDPF51N25
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 38 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 250 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 28 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de compuerta (Qg): 55 nC
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.06 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220F
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