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CS20N60 ANH, el canal N de silicio mejorado
VDMOSFETs, se obtiene mediante la tecnología plana autoalineada
que reducen la pérdida de conducción, mejoran la conmutación
rendimiento y mejorar la energía de la avalancha. El transistor puede
ser utilizado en varios circuitos de conmutación de potencia para el sistema
miniaturización y mayor eficiencia. El formulario del paquete es
TO-3P (N), que cumple con el estándar RoHS
Características:
Cambio rápido
Baja resistencia ON (Rdson<0.45 ohms)
Carga de puerta baja (datos típicos: 61 nC)
Capacidades de transferencia inversa bajas (típico: 20pF)
Prueba de energía de avalancha de un solo pulso al 100%
Aplicaciones:
Circuito del interruptor de alimentación del adaptador y el cargador
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