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Transistor TIP102, epitexial de silicio 100V con polaridad NPN y darlington diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación de potencia y conmutación. Cuenta con construcción monolítica con resistencias en derivación base-emisor.
*Alta ganancia de corriente continua (hFE = 1000 a VCE = 4V, IC = 3A mínimo)
*100V Voltaje del colector (VCBO)
*Darlington
*Baja tensión de saturación colector-emisor
*5V Voltaje de la base del emisor (VEBO)
*1A Corriente base (IB)
*Complemento: TIP105/106/107
*Aplicaciones: Amplificador de potencia, conmutación, uso general
*** NOTA***
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