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Transistor mosfet IRF530N de canal N que ofrece la mejor combinación de conmutación rápida, el diseño de este dispositivos esta echo para uso rudo, baja resistencia y costo-efectividad.
*Área de operación segura extendida
*Corriente de fuga más baja (10A máximo en VDS = 100V)
*Baja RDS (ON) (0,092OHM típico)
*± 20V Tensión de puerta a fuente
*6.,5 ° C / W Resistencia térmica, unión al ambiente
*2.74 ° C / W Resistencia térmica, unión a caja
*Aplicaciones: Administración de potencia
*** NOTA***
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https://eshops.mercadolibre.com.mx/mvelectrnica
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