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Ubicacion: Lagos De Moreno, Jalisco
Disponibilidad: en stock en stock
Estado: Nuevo
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Código: P65NF06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 110 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 60 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 54 nC

Tiempo de elevación (tr): 60 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 400 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.014 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

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