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El IRF840N es un transistor MOSFET de canal N fabricado por International Rectifier. Es ampliamente utilizado en aplicaciones de conmutación de alta velocidad y alta potencia debido a sus características de bajo R_DS(on) y alta capacidad de corriente. A continuación, se presenta información detallada sobre el IRF840N:
Características Principales:
Tipo de Transistor: MOSFET de canal N.
Voltaje de Drenaje a Fuente (V_DS): 500V.
Corriente de Drenaje (I_D): 8A a 25C.
R_DS(on): 0.85ohms máximo a V_GS = 10V.
Capacidad de Potencia (P_D): 125W.
Tensión de compuerta a fuente (V_GS): 20V máximo.
Tipo de Encapsulado: TO-220AB.
Tasa de Conmutación: Alta velocidad de conmutación.
Especificaciones Eléctricas:
Voltaje de Drenaje a Fuente (V_DS): 500V.
Corriente de Drenaje (I_D):
Continuo: 8A.
Pulsado: 32A.
Voltaje de compuerta a fuente (V_GS): 20V.
Resistencia de Drenaje a Fuente (R_DS(on)): 0.85ohms máximo a V_GS = 10V.
Capacidad de Carga de Puerta (Q_G): 67nC típico.
Tiempo de Retardo de Encendido (t_d(on)): 10ns típico.
Tiempo de Retardo de Apagado (t_d(off)): 27ns típico.
Características Térmicas:
Resistencia Térmica, Junta a Ambiente (RJA): 62C/W.
Resistencia Térmica, Junta a Caja (RJC): 1C/W.
Temperatura de Operación (T_op): -55C a +150C.
Aplicaciones Comunes:
Convertidores DC-DC.
Inversores de potencia.
Fuentes de alimentación conmutadas.
Controladores de motor.
Aplicaciones de audio de alta potencia.
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