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Este dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el TO-92, cuya estructura es plastico con tres terminales (pines). Este transistor es de baja potencia, capaz de disipar hasta 625mW, aun asi, puede controlar dispositivos que consuman alrededor de 600mA o que requieran tensiones de hasta 40Vdc, siempre y cuando no se exiga el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipacion maxima.
Su juntura es NPN, con un factor de amplificacion (Hfe) que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre los 100 y los 300.
Es un dispositivo, extremadamente rapido, muy util en circuitos donde se requiera utilizar dispositivos finales con control PWM de bajo consumo, como pueden ser motores de 3V, con control en velocidad. Ademas, puede ser utilizado en circuitos de amplificacion de señales bajas, inversor de estados logicos (TTL o CMOS), controlar reles y motores de baja potencias (3V), etc.
Transistor Bipolar (BJT) NPN
Dispositivo diseñado para operar como amplificador y suiche de propósito general
Alta corriente (máx.600 mA)
Baja tensión (máx. 40 V)
Complemento 2N2907A
Aplicaciones: Amplificación y conmutación lineal
Equivalentes: NTE123AP, PN2222A, KTN2222A, KN2222A, 2222A, entre otros
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