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Número de Parte: STP24N60M2
Código: 24N60M2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 600 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 18 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de compuerta (Qg): 29 nC
Tiempo de elevación (tr): 9 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 55 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.19 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO-220
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