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El transistor IRFR120 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
El IRFR120 es un MOSFET de potencia de canal N de HEXFET® de quinta generación que utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia ON extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, proporciona un dispositivo extremadamente eficiente para su uso en una amplia variedad de aplicaciones. El paquete está diseñado para montaje en superficie mediante técnicas de soldadura en fase vapor, infrarrojo o por ola. El nivel de disipación de energía de 1.5W es posible en una aplicación típica de montaje en superficie.
Totalmente avalancha
Tecnología avanzada de procesos
Baja resistencia estática de drenaje a fuente ON
Valor dinámico dV / dt
Aplicaciones: Administración de potencia
Información Básica
Polaridad: Canal N
Tensión drenaje-fuente Vds: 100 V
Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
Tensión umbral Vgs: 4 V
Intensidad drenador continua Id: 7.7 A
Disipación de potencia Pd: 2.5 W
Resistencia de activación Rds(on): 270 mohm
Temperatura de trabajo máxima: 150°C
Encapsulado TO-252AA
3 pines
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