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AO3406
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor.
General Description
The AO3406 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) andlow gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO3406 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO3406L is a Green Product ordering option. AO3406 and AO3406L are electrically identical.
Features
VDS (V) = 30V
ID = 3.6A (VGS = 10V)
RDS(ON) < 65mOhm (VGS = 10V)
RDS(ON) < 105mOhm (VGS = 4.5V)
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AO3406
Transistor de efecto de campo de modo de mejora de canal N.
Descripción general
El AO3406 utiliza tecnología de trinchera avanzada para proporcionar un excelente RDS (ON) y una carga de compuerta baja. Este dispositivo es adecuado para su uso como interruptor de carga o en aplicaciones PWM. El producto estándar AO3406 no contiene Pb (cumple con las especificaciones ROHS y Sony 259). AO3406L es una opción de pedido de productos ecológicos. AO3406 y AO3406L son eléctricamente idénticos.
Características
VDS (V) = 30V
ID = 3.6A (VGS = 10V)
RDS (ENCENDIDO) < 65mOhm (VGS = 10V)
RDS (ENCENDIDO) < 105 mOhm (VGS = 4,5 V)
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