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Este MOSFET de potencia HEXFET® utiliza técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Su temperatura de funcionamiento es de 175 °C, máxima disipación de potencia 140W y tiene una velocidad de conmutación rápida. Extremadamente eficiente y confiable.
Características:
Voltaje de ruptura de drenaje a fuente 100 V
Corriente de drenaje continua 56 V
Resistencia entre drenaje y fuente 18
Voltaje umbral 2v – 4v
Carga de puerta 69 – 100 nc
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Cambio rápido
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