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El transistor IRFB4310 de potencia de canal N, único de 100 V en un paquete TO-220 de la familia de MOSFET está optimizado para R DS (encendido) bajo y capacidad de corriente alta. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores de CC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores de CC-CC.
Contenido:
- 1 Unidad – Transistor MOSFET IRFB4310
Características:
- Tipo de FET: MOSFET
- Polaridad de transistor: N
- Máxima disipación de potencia (Pd): 300 W
- Voltaje máximo drenador – fuente |Vds|: 100 V
- Voltaje máximo fuente – puerta |Vgs|: 20 V
- Corriente continua de drenaje |Id|: 130 A
- Temperatura máxima de unión (Tj): 175 C
- Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
- Carga de la puerta (Qg): 170 nC
- Tiempo de subida (tr): 110 nS
- Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 540 pF
- Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.007 Ohm
- Paquete: TO220AB
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