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Transistor mosfet IRFB4227 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET es un utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
Cantidad:
- 1 unidad – Transistor mosfet IRFB4227.
Características:
- Transistor: Mosfet de potencia.
- Tensión umbral entre puerta y fuente Vgs(th): 5 V.
- Polaridad del transistor: Canal N.
- Voltaje de drenaje a fuente VDS: 200 V.
- Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 240 V.
- Voltaje de puerta a fuente VGS: mas o menos 30 V.
- Corriente continua de drenaje ID (Tc=25 C): 65 A.
- Corriente de drenaje pulsada IDP: 260 A.
- Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 C): 330 W.
- Resistencia de activación RDS(on) typ: 0.0197 Ohms.
- Temperatura de operación mínima: -40 C.
- Temperatura de operación máxima: 175 C.
- Baja QG para una respuesta rápida.
- Alta capacidad de corriente pico repetitiva para un funcionamiento fiable.
- Breve caída y tiempos de subida para una conmutación rápida.
- Capacidad de avalanchas repetitivas para robustez y fiabilidad.
- Baja resistencia por área de silicio.
- Encapsulado: TO-220.
- Número de pines: 3.
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