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El Transistor Mosfet IRFB4115 de canal N viene en encapsulado TO220. Soporta 150 V con una resistencia a la sobrecarga extremadamente. Soporta 150V a 104A con una resistencia a la sobrecarga extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido con la tecnología Trench MOSFET. Adecuado para rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS, fuente de alimentación ininterrumpida, conmutación de potencia de alta velocidad, circuitos conmutados y de alta frecuencia.
Características:
• Referencias: IRFB4115
• Tipo de FET: MOSFET
• Polaridad de transistor: N
• Disipación total del dispositivo (Pd): 380 W
• Tensión drenaje-fuente |Vds|: 150 V
• Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
• Corriente continua de drenaje |Id|: 104 A
• Carga de compuerta (Qg): 77 nC
• Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.011 Ohm
• Encapsulado: TO220AB
Aplicaciones:
• Electrónica de potencia.
• Automatización.
• Amplificar o conmutar señales electrónicas en inversores
• UPS.
• Rectificación.
• Fuentes de conmutación de alta frecuencia
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