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Este MOSFET de potencia de canal N, con una estructura de compuerta de zanja mejorada que da como resultado una resistencia en estado encendido muy baja, al mismo tiempo que reduce la capacitancia interna y la carga de compuerta para una conmutación más rápida y eficiente.
Contenido:
- 1 Unidad – Transistor MOSFET IRFB3077
Características:
- Tipo de FET: MOSFET
- Polaridad de transistor: N
- Máxima disipación de potencia (Pd): 370 W
- Voltaje máximo drenador – fuente |Vds|: 75 V
- Voltaje máximo fuente – puerta |Vgs|: 20 V
- Corriente continua de drenaje |Id|: 210 A
- Temperatura máxima de unión (Tj): 175 C
- Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
- Carga de la puerta (Qg): 160 nC
- Tiempo de subida (tr): 87 nS
- Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 820 pF
- Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0033 Ohm
- Paquete / Cubierta: TO220A.
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