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El transistor IRFB3006 de la familia de MOSFET de potencia utiliza procesos de silicio probados que ofrecen a los diseñadores una amplia cartera de dispositivos para admitir diversas aplicaciones, como motores de DC, inversores, SMPS, iluminación, interruptores de carga y aplicaciones alimentadas por baterías. Los dispositivos están disponibles en una variedad de paquetes de montaje en superficie y de orificio pasante con dimensiones estándar de la industria para facilitar el diseño. Las opciones optimizadas de accionamiento de compuerta permiten a los diseñadores la flexibilidad de seleccionar accionamientos de nivel súper, lógico o normal
Contenido:
- 1 Unidad – Transistor MOSFET IRFB3006
Características:
- Tipo de canal de control: Canal N
- Máxima disipación de potencia (Pd): 375 W
- Voltaje máximo drenador – fuente |Vds|: 60 V
- Voltaje máximo fuente – puerta |Vgs|: 20 V
- Corriente continua de drenaje |Id|: 270 A
- Temperatura máxima de unión (Tj): 175 C
- Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
- Carga de la puerta (Qg): 200 nC
- Tiempo de subida (tr): 182 nS
- Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1020 pF
- Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0025 Ohm
- Paquete: TO220AB
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