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El IRF840 es un MOSFET de potencia de N-canal de 500V, el MOSFET de potencia de tercera generación proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia.
ESPECIFICACIONES TECNICAS:
Polaridad del transistor: Canal N
Voltaje de drenaje a fuente VDS: 500 V
Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
Corriente continua de drenaje ID: 8 A
Corriente de drenaje pulsada IDP: 32 A
Corriente de avalancha IAR: 8 A
Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 125 W
Temperatura de operación mínima: -55 °C
Temperatura de operación máxima: 150 °C
Encapsulado: TO-220
Referencia de producto: IRF840 TO220
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