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IRF730 MOSFET Canal N 400V - 5.5A TO-220, esta diseñado para soportar un nivel específico de energía en el modo de funcionamiento en ruptura de avalancha.
Estos MOSFET de potencia están diseñados para aplicaciones tales
como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motores, Controladores de relé y controladores para conmutación bipolar de alta potencia.
Estos transistores que requieren alta velocidad y baja potencia de accionamiento de puerta (Gate), pueden ser operados directamente desde circuitos integrados.
Principales Características:
Tipo de Encapsulado: TO-220
Transistor equivalente a NTE67
Transistor Mosfet Canal N
Voltaje Drain - Source (VDSS): 400V
Voltaje Drain - Gate (VDGR): 400V
Voltaje Gate - Source (VGS): ± 20V
Corriente Drain (ID): 5.5A
Corriente Pulsada en Drain (IDM): 22A
Resistencia de Conducción (RDS): 1 Ohm
Potencia Máxima Disipada (PD): 75W
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