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El transistor Mosfet IRF640N es un dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.
Cantidad:
• 3 Unidades – Transistor Mosfet IRF640N
Caracteristicas:
• Tipo de FET: MOSFET
• Polaridad de transistor: N
• Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W
• Tensión drenaje-fuente |Vds|: 200 V
• Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
• Corriente continua de drenaje |Id|: 18 A
• Carga de compuerta (Qg): 44.7 nC
• Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.15 Ohm
• Empaquetado: TO220AB
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Aplicaciones:
• Interruptor de reinicio
• Reinicio de los convertidores DC-DC.
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