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SOMOS JA-BOTS.COM
DISTRIBUIDORES DE COMPONENTES ELECTRÓNICOS.
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Cantidad:
1 unidad Transistor MOSFET IRF520 TO 220AB
Características:
Canal N
Tensión drenaje – fuente 100 V
Resistencia drenaje – fuente 0.27
Corriente de drenaje 16 A
Potencia total de disipación 60 W
Voltaje compuerta fuente 10 V
Máxima temperatura de disipación 25° C
Capacitancia, voltaje y corriente de avalancha totalmente caracterizados
Carga de compuerta baja garantiza un manejo sencillo
Encapsulado TO-220AB
El transistor IRF750 tiene diseño con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo reforzado, baja resistencia y rentabilidad. El empaquetado es TO-220AB es universalmente preferido para todos aplicaciones comerciales-industriales en la disipación de energía de niveles aproximadamente de 50 W. La baja resistencia térmica y el bajo costo del paquete, contribuyen a su gran aceptación en toda la industria.
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