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DISTRIBUIDORES DE COMPONENTES ELECTRÓNICOS.
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El Transistor MOSFET IGBT 20N60C3 está diseñado especialmente para garantizar un rendimiento de conmutación muy eficiente, además soporta picos de energía.
Cantidad:
1 unidad – Transistor MOSFET IGBT 20N60C3
Características:
Polaridad: Canal-N
VDS Tensión de la fuente de drenaje: 600V
VGS Tensión puerta-fuente: -,+30V
ID Corriente de drenaje (continua Tc=25C) = 20A
Disipación de potencia PD 208 W
Aplicaciones:
Control de motores
Fuentes de alimentación
Fuentes conmutadas
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