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Transistor Irfp064npbf Irfp064n Irfp064 Mosfet N-ch 55v 110a
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ESPECIFICACIONES MÁXIMAS:
Disipación total del dispositivo (Pd): 200 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 55 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Corriente continua de drenaje (Id): 110 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 100 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1300 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.008 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO247AC
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