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Descripción del YGW60N65F1
- Tipo: Transistor IGBT
- Voltaje Máximo: 650V
- Corriente Máxima: 60A
- Tecnología: Trench Field Stop
Características:
- Alto voltaje de ruptura hasta 650V
- Bajo VCEsat
- Conmutación de alta velocidad
- Alta robustez y estabilidad de temperatura
- Capacidad de conmutación en paralelo fácil
Aplicaciones:
- Fuentes de alimentación ininterrumpida
- Inversores
- Controladores de motor DC de alto voltaje
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