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Especificaciones
Fabricante: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistores IGBT
RoHS: Detalles
Tecnología: Si
Paquete / Cubierta: TO-220-3
Estilo de montaje: Through Hole
Configuración: Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 600 V
Voltaje de saturación colector-emisor: 2 V
Máximo voltaje puerta-emisor: +/- 20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C: 54 A
Dp - Disipación de potencia : 167 W
Temperatura de trabajo mínima: - 55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
Empaquetado: Tube
Máx. corriente continua Ic del colector: 54 A
Altura: 9.65 mm
Longitud: 10.67 mm
Ancho: 4.83 mm
Marca: ON Semiconductor / Fairchild
Corriente continua del colector: 54 A
Corriente de fuga puerta-emisor: +/- 250 nA
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 400
Subcategoría: IGBTs
Alias de las piezas n.º: HGTP12N60A4_NL
Peso de la unidad: 0.211644 oz
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