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DESCRIPCIÓN:
El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo semiconductor que se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT.
Con el diseño patentado de zanja de Fairchild y la tecnología NPT avanzada, el IGBT NPT de 1200 V ofrece un rendimiento de conducción y conmutación superior, alta resistencia a avalanchas y fácil operación en paralelo. Este dispositivo es ideal para aplicaciones de conmutación suave o resonante, como calentamiento por inducción o hornos
microondas.
Número de Parte: FGA25N120ANTD
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pc- Máxima potencia disipada: 312 W
|Vce| – Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge| – Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic| – Colector de Corriente Continua a 25C: 50 A
|VCEsat| – Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25C
|VGEth| – Tensión máxima de puerta-umbral: 7.5 V
Tj – Temperatura máxima de unión: 150 C
tr – Tiempo de subida, typ: 60 nS
Coes – Capacitancia de salida, typ: 130 pF
Qg – Carga total de la puerta, typ: 200 nC
Paquete / Cubierta: TO3P
LA COMPRA INCLUYE:
1x TRANSISTOR IGTB FGA25N120 TO-3P
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