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ESPECIFICACIONES TECNICAS:
Categoría de producto: Transistores IGBT
Tecnología: Si
Paquete / Cubierta: TO-247-3
Estilo de montaje: Through Hole
Configuración: Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 600 V
Voltaje de saturación colector-emisor: 1.5 V
Máximo voltaje puerta-emisor: +/- 20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C: 80 A
Dp - Disipación de potencia : 428 W
Temperatura de trabajo mínima: - 40 C
Temperatura de trabajo máxima: + 175 C
Altura: 21.1 mm
Longitud: 16.03 mm
Ancho: 5.16 mm
Corriente continua del colector: 80 A
Corriente de fuga puerta-emisor: 100 nA
Tipo de producto: IGBT Transistors
Referencia de producto: IKW75N60T (K75T60)
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