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ORIGINAL Magnachip
El Transistor IGBT 60T65 es un transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor), es un dispositivo semiconductor que posee características de señales de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación. Este transistor cuenta con un encapsulado de TO-247 de 3 pines, soporta un voltaje VCEO colector-emisor de hasta 600V.
Características:
• Referencias: MBQ60T65PES
• Polaridad de transistor: N-Channel
• Disipación total del dispositivo (Pc): 428
• Tensión colector-emisor (Vce): 650
• Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.85
• Tensión emisor-compuerta (Veg): 20
• Corriente del colector DC máxima (Ic): 100
• Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 175
• Tiempo de elevación: 54
• Capacitancia de salida (Cc), pF: 270
• Encapsulado: TO247
Aplicaciones:
• Inversores solares
• UPS
• IH Cooker
• Soldadores y PFC donde las bajas pérdidas de conducción son esenciales.
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