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40N60FD2 IGBT Transistor de Potencia 600V 80A
Descripción:
Te ofrecemos el 40N60FD2, un IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de alta eficiencia y rendimiento, ideal para tus proyectos electrónicos y aplicaciones de alta potencia. Este transistor es perfecto para controlar cargas de gran corriente y voltaje, asegurando una operación estable y confiable.
Características principales:
Tipo de Transistor: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Voltaje Máximo de Colector-Emisor (Vce): 600V
Corriente Máxima de Colector (Ic): 80A
Resistencia Térmica Junta-Ambiente (RJA): 62°C/W
Caída de Voltaje en Saturación (Vce(on)): 2.1V
Tipo de Encapsulado: TO-247
Temperatura de Operación: -55°C a 150°C
Aplicaciones:
Inversores de frecuencia
Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS)
Control de motores y actuadores
Convertidores de potencia
Sistemas de energía solar
Ventajas:
Alta capacidad de manejo de corriente
Baja caída de voltaje en saturación para mayor eficiencia
Operación confiable en un amplio rango de temperaturas
Fácil de montar y utilizar en diversos circuitos electrónicos
Contenido del paquete:
1 x 40N60FD2 IGBT Transistor de Potencia 600V 80A
No esperes más, adquiere el 40N60FD2 y lleva tus proyectos electrónicos al siguiente nivel con un componente de calidad y rendimiento superior.
Envío rápido a todo el país. Garantía de satisfacción.
Si necesitas información adicional o tienes alguna pregunta, no dudes en contactarnos. Estamos aquí para ayudarte.
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